RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
55
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2665
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link