Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Gesamtnote
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 36
    Rund um 22% geringere Latenzzeit
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.7 left arrow 12.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 9.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 18.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 11.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2329 left arrow 3238
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RAM 1
RAM 2

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