RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
77
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
10.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2538
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link