RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link