RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link