RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link