RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2041
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link