RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2041
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link