RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 29

Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 12.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.3 7.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2177 3418

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns