RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
4065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link