RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
34
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link