Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 34

Около 15% меньшая задержка

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Причины выбрать
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 18.0
Скорость записи, Гб/сек

9.0 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 3243

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM