RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link