RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link