RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2794
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link