RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link