RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
62
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link