RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link