RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
62
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3210
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link