RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
62
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
12.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link