RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
62
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3364
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link