RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link