RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link