RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
65
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1820
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link