RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
101
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1399
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link