RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
62
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2841
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link