RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
62
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.6
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1868
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link