RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link