RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
62
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link