RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
62
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2425
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link