RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3603
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link