RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
62
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2623
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link