RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link