RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
62
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
3838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link