RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
49
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
5.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
1223
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link