RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
5.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
49
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
8.2
Скорость записи, Гб/сек
5.6
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
1223
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link