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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
10.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2811
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
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