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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2811
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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