RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
65
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link