RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link