RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
22.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
65
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3861
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link