RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link