RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link