RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
65
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link