RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
65
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link