RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
65
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link