RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
65
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link