RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
65
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1948
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link