RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2324
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link