RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link