RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link