RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
65
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link